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　染料敏化太陽(yáng)電池主要是模仿光合作用原理，研制出來(lái)的一種新型太陽(yáng)電池。1991年M.Graitzel 教授將納米多孔的概念引人染料敏化寬禁帶TiO2半導(dǎo)體研究中,獲得了轉(zhuǎn)換效率7.1%的染料敏化太陽(yáng)電池，于2004年在小面積電池上又

在2005-2010年的6年中,薄膜太陽(yáng)電池產(chǎn)量的年復(fù)合增長(zhǎng)率為94% .而品體硅電池為63%。在全球范圍內(nèi),2010年與2009年相比,薄膜太陽(yáng)電池的產(chǎn)量增長(zhǎng)了72%。2001年全球薄膜太陽(yáng)電池的產(chǎn)量只有14MW，到

根據(jù)歐洲委員會(huì)聯(lián)合研究中心(JRC)能源研究所發(fā)表的PVstatusreport 2011年統(tǒng)計(jì)，有超過(guò)200家公司從事薄膜太陽(yáng)電池方面的工作，范圍從基礎(chǔ)研發(fā)到主要的生產(chǎn)活動(dòng);超過(guò)120家公司宣布開(kāi)始增加

太陽(yáng)能板廠家-深圳市迪晟能源技術(shù)有限公司，太陽(yáng)電池的發(fā)電量與光照強(qiáng)度有關(guān),在一定范圍內(nèi)，光照強(qiáng)度越大，太陽(yáng)電池的發(fā)電量也越多。所以采取一些措施來(lái) 提高照射在太陽(yáng)電池上的光照強(qiáng)度，是增加太陽(yáng)電池發(fā)電量的有效手段，因此便產(chǎn)生了

太陽(yáng)能板廠家-深圳市迪晟能源技術(shù)有限公司為你提供太陽(yáng)能電池板聚光光伏發(fā)電的優(yōu)點(diǎn)　　和晶體硅及薄膜太陽(yáng)電池相比，聚光光伏技術(shù)具有許多優(yōu)點(diǎn)?！　?1)發(fā)電效率高　　高倍聚光太陽(yáng)電池效率超過(guò)40%，系統(tǒng)總效率約為29%

　陽(yáng)光與電能同行，迪晟與您相伴！太陽(yáng)能板廠家-深圳市迪晟能源技術(shù)有限公司，為你揭秘聚光光伏部件組成　　聚光光伏系統(tǒng)與普通固定式平板光伏系統(tǒng)相比,平衡系統(tǒng)(BOS)等都基本相同，只是前級(jí)的方陣形式不一樣。一般平板式太陽(yáng)電池方陣由太陽(yáng)電池組件

　聚光太陽(yáng)能電池板　　與一般的光伏系統(tǒng)不同，在聚光光伏系統(tǒng)中，太陽(yáng)電池在高強(qiáng)度的太陽(yáng)光和高溫度的條件下工作，通過(guò)的電流要比普通太陽(yáng)電池大很多倍，所以對(duì)電池也有特殊的要求?！　尉Ч杼?yáng)電池　　由于單晶硅太陽(yáng)電池性能穩(wěn)定，價(jià)格相

　半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)技術(shù)為現(xiàn)代物理做出了巨大貢獻(xiàn)。異質(zhì)結(jié)，尤其是雙異質(zhì)結(jié)包括量子阱、量子線量于點(diǎn)的研究占據(jù)了半導(dǎo)體物理研究的2/3。異質(zhì)結(jié)通過(guò)摻入不同的雜質(zhì)來(lái)控機(jī)生導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率。異質(zhì)結(jié)可以控制半導(dǎo)體晶體和器件的基本參數(shù);如帶隙電荷

20世紀(jì)70年代初,非晶硅薄膜初由R.C. Chitteck等人通過(guò)PECVD沉積獲得。1976年,RCA實(shí)驗(yàn)室的Cave與ChrisWronski制作了效率為2.4%的塊非晶硅薄膜太陽(yáng)電池。1979年，Us

太陽(yáng)能光伏發(fā)電應(yīng)用技術(shù)-單結(jié)非晶硅太陽(yáng)電池　　在非晶硅材料中，硅原子按照一定的鍵長(zhǎng)和鍵角相互間以無(wú)序方式結(jié)合形成四面體結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)中存在許多懸掛鍵，通過(guò)氫原子可以與懸掛鍵結(jié)合使之鈍化，形成氫化非晶硅(a-Si:

　長(zhǎng)期以來(lái)，影響非晶硅太陽(yáng)電池推廣應(yīng)用的主要障礙一是效率偏低， 二是性能衰減問(wèn)題。前者隨著技術(shù)的發(fā)展，通過(guò)采用新型的材料、結(jié)構(gòu)、工藝等手段，逐漸有所改善;后者則還需要從形成機(jī)理、影響因素等多方面加以深入研究?！　-Si:H的電導(dǎo)率和光

基于以上各種測(cè)試非晶硅太陽(yáng)電池光致衰減的現(xiàn)象，取適當(dāng)?shù)哪Ｐ陀糜?jì)算機(jī)模擬分析及大量的實(shí)驗(yàn)也得出類似的結(jié)果，其主要結(jié)論有以下幾點(diǎn):　?、俟庹T導(dǎo)在非晶硅中所產(chǎn)生的缺陷與沉積非晶硅時(shí)所產(chǎn)生的缺陷不同，差別在于前